Di kawasan litografi, perubahan suhu sebanyak setengah darjah semasa proses pemanasan bahan fotoresist bukanlah perkara yang boleh diabaikan. Perubahan ini akan menyebabkan perubahan ketebalan garisan pada permukaan wafer, peningkatan kepekatan pelarut, dan penurunan kadar pengeluaran yang tidak dapat dijelaskan melalui audit biasa. Kami telah mencipta modul pemanasan IR untuk mengurangkan ketidakpastian ini, kerana proses pengeringan wafer dan pemprosesan bahan fotoresist memerlukan suhu yang konsisten, bukan sekadar tekaan.
Apa yang penting sebenarnya?
Kami memadankan pancaran inframerah berfrekuensi rendah dengan jalur penyerapan pelarut fotoresist yang biasa digunakan. Dengan cara ini, tenaga akan disalurkan terus ke lapisan fotoresist tanpa menyebabkan suhu substrat menjadi terlalu tinggi. Hasilnya ialah pemanasan yang cepat dan konsisten, dengan variasi suhu sekitar ±0.1°C di seluruh permukaan wafer. Sistem ini dikawal secara automatik menggunakan sensor yang telah dikalibrasi, sehingga proses pemanasan dapat dilakukan dengan tepat, tanpa campur tangan manusia. Sistem ini beroperasi dalam persekitaran bersih kelas 1–100, dan direka agar tidak menghasilkan sebarang zarah kontaminan, sekaligus mengurangkan jumlah kecacatan pada wafer.
Inilah sebab mengapa pendekatan ini efektif dalam praktiknya. Dalam proses pengeringan wafer, inframerah membantu mengeluarkan kelembapan secara cepat dan konsisten. Dalam proses pemanasan bahan fotoresist pula, ketepatan ini memastikan viskositi bahan tetap stabil, ketebalan lapisan fotoresist konsisten, dan dimensi kritikalnya dapat dikawal dengan baik. Proses pembungkusan dan pembersihan juga mendapat manfaat daripada pendekatan ini, kerana suhu yang digunakan tetap konsisten dari satu sesi ke sesi yang lain. Keuntungan utamanya ialah sistem ini dapat beroperasi 24/7 dengan penyelenggaraan yang minimum, serta mengurangkan kos pembuatan semula produk akibat masalah berkaitan suhu.
Beberapa nota praktikal:
Kemampuan sistem pemanasan IR bergantung pada kesesuaian spektrum pancaran dengan sifat kimia bahan fotoresist, serta adanya pandangan yang jelas ke arah permukaan wafer. Orientasi wafer, keadaan bahagian belakang wafer, dan pengurusan gas buangan masih boleh mempengaruhi keseragaman suhu di bahagian tepi wafer. Oleh itu, kami menyarankan agar dilakukan ujian khusus untuk menentukan parameter yang sesuai. Setelah itu, proses pemanasan dapat dikawal dengan lebih baik, sehingga mengurangkan variasi suhu dan masalah yang mungkin timbul setiap hari.