Verteilter Heizer für Wafer Level Verpackung

Tue, 30 Jun 2026 04:54:05 +0800

In der FO-WLP-Technologie ist die Backschritt-Phase der Punkt, an dem die Qualität der Produkte nach und nach nachlässt. Eine zu sanfte Beheizung – bei einer Temperaturdifferenz von 2°C – beeinträchtigt das Profil des Fotoleitmittels. Wenn man hingegen eine starke Beheizung verwendet, entstehen Lücken im Material sowie Verformungen. Man muss also dafür sorgen, dass die Temperatur über der gesamten Waferfläche gleichmäßig ist – während die Zeit weiterhin läuft.

Was technisch wichtig ist:
Wir haben Heizer entwickelt, die für die Backöfen und Heizelemente zwischen der Lithografie- und Formgebungsschicht verwendet werden können. Kurzwell-Halogenemitter sorgen für eine schnelle Reaktion – dadurch bleibt die Temperatur über der aktiven Fläche bei ±0,1°C konstant. Der Heizerkörper besteht aus Quarz und hochreinem Keramikmaterial; dadurch bleibt die Teilchengenerierung in sauberen Räumen der Klasse 1–100 nahe bei Null. Die Temperaturgenauigkeit beträgt ±0,2°C pro Einsatz – dadurch bleiben die Parameter der sanften und starken Beheizung stets within den Vorgaben. Die Steuerung erfolgt über PID-Regelung; außerdem sind SECS/GEM-Funktionen vorhanden, sodass die Einstellungen, die Ansteigegeschwindigkeiten sowie die Einbrennzeiten genau kontrolliert werden können.

Fan on Infrared Quartz Heating Systems

Verteilter Heizer für Wafer Level Verpackung