在FO-WLP工艺中，烘烤步骤是导致良率下降的关键环节。如果烘烤温度偏差达到2℃，就会影响光刻胶的性能。而如果采用过高的烘烤温度，则会导致填充不足或芯片变形的问题。因此，必须在保证芯片各部位温度均匀的前提下进行烘烤。
从技术层面来看，什么才是最重要的？ 我们为光刻和封装之间的烘烤炉以及加热板设计了专门的加热器。短波卤素灯能够实现快速且精确的温度控制，同时还能将芯片有效区域的温度控制在±0.1℃以内。加热器的材质为石英和高纯度陶瓷，因此在1–100级洁净室环境中几乎不会产生任何颗粒物。
温度的重复性可达±0.2℃，这样就能确保烘烤过程的温度始终符合标准要求。该加热器采用PID控制方式，并具备SECS/GEM接口，因此可以精确控制设定值、升温速率以及保温时间。
为什么这种加热器适合FO-WLP工艺？ 在FO-WLP工艺中，不同的芯片会被整合在同一个封装结构中，然后对I/O接口进行重新分配。此时，温度控制非常重要：必须在不引起铜材迁移或CTE应力变化的情况下完成光刻胶的活化过程。这种加热器能够精确控制烘烤曲线，从而提高关键尺寸的精度，降低出现缺陷的风险。
出色的温度均匀性还能减少RDL部分的不良品率，而重复性则有助于缩短测试周期。由于加热器是按需工作的，其能耗也相对较低。它适用于24/7不间断运行，只需定期进行维护即可，无需担心意外停机问题。
一些实用建议 这种加热器适用于大多数FO-WLP工艺中的加热平台，但其安装方式取决于机械结构、真空夹具以及排气系统的设计。请确保电压和连接器类型与您的设备相匹配。更换灯泡后，需要一段时间来稳定温度——建议将此步骤纳入定期维护计划中，以确保烘烤过程始终符合标准要求。